09N65E-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和3.5V的閾值電壓（Vth）。在VGS=10V時，其導通電阻（RDS(ON)）為830mΩ，最大漏極電流（ID）為10A。這款MOSFET采用平面技術制造。
以下是關于09N65E-VB的詳細參數說明：
- **封裝類型（Package）**：TO220F
- **器件類型（Configuration）**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS，±V）**：30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：10A
- **技術**：平面
關于該產品在哪些領域和模塊上的應用，以下是一些例子：
1. **電源供應模塊**：由于其高漏極-源極電壓和適中的漏極電流特性，09N65E-VB適用于開關電源和變換器等電源供應模塊。
2. **照明系統**：對于需要中等功率和高可靠性的照明系統，這款MOSFET可以用作LED驅動器中的開關器件。
3. **電動工具**：在需要適中電流和電壓的電動工具中，這款MOSFET可用作電機驅動器的關鍵組件。
4. **電動車充電樁**：由于其高漏極-源極電壓和適中的導通電阻，09N65E-VB適用于電動車充電樁中的開關器件。
這些只是一些例子，實際上，09N65E-VB可以適用于需要中等電壓、適中電流和適中導通電阻的各種應用場景。
