08N60-VB是一款單N溝道MOSFET，具有以下主要參數(shù)：

- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（門極-源極電壓）：30V（±）
- Vth（門極閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導通時的漏極-源極電阻）：830mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：10A
- 技術(shù)特點：平面工藝

產(chǎn)品簡介：
08N60-VB是一款高壓、高性能的單N溝道MOSFET。它采用了先進的平面工藝技術(shù)，具有較低的導通電阻和較高的漏極電壓，適用于各種高壓應用場景。

詳細參數(shù)說明：
1. VDS（漏極-源極電壓）：650V，可以適應較高的電壓環(huán)境。
2. VGS（門極-源極電壓）：30V（±），可靠的門控電壓范圍。
3. Vth（門極閾值電壓）：3.5V，可靠的門控特性。
4. RDS(ON)（導通時的漏極-源極電阻）：830mΩ@VGS=10V，低導通電阻，有利于減小功耗和提高效率。
5. ID（漏極電流）：10A，適用于一般功率要求較高的場合。
6. 技術(shù)特點：平面工藝，提供可靠性和穩(wěn)定性。

應用示例：
08N60-VB可以廣泛應用于以下領(lǐng)域和模塊：
- 電源模塊：適用于高壓電源開關(guān)、逆變器等模塊。
- 電動汽車充電樁：可用于電動汽車充電樁中的功率開關(guān)模塊。
- 工業(yè)控制：適用于工業(yè)控制設備中的電源開關(guān)等模塊。
- LED照明：可用于LED照明驅(qū)動器中的開關(guān)模塊。
- 太陽能逆變器：適用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)模塊。

這些示例表明，08N60-VB在高壓、高性能要求的場合具有廣泛的應用前景。