08CNE8N-VB是一款TO263封裝的單路N溝道MOSFET。它的主要特性包括80V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負(fù)值），3V的閾值電壓（Vth），在VGS=4.5V時的導(dǎo)通電阻為10mΩ（RDS(ON)），在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻為6mΩ（RDS(ON)），以及120A的漏極電流（ID）。該產(chǎn)品采用槽溝道（Trench）技術(shù)制造。

**產(chǎn)品簡介**
08CNE8N-VB是一款高性能MOSFET，適用于需要高電壓和大電流的應(yīng)用場合。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流使其成為高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

**詳細(xì)參數(shù)說明**
- 封裝：TO263
- 極性：N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：80V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V，6mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：120A
- 技術(shù)：槽溝道（Trench）

**適用領(lǐng)域和模塊**
- 電源管理：08CNE8N-VB適用于需要高效能電源管理的場合，例如服務(wù)器電源、工業(yè)電源等。
- 電動工具：由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻，該產(chǎn)品也適用于電動工具的驅(qū)動電路。
- 電動汽車：在電動汽車的電動驅(qū)動系統(tǒng)中，08CNE8N-VB可以用作電機(jī)控制器的開關(guān)元件，實現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。
- 照明應(yīng)用：對于需要調(diào)光和高效能的LED照明應(yīng)用，這款MOSFET也是一個不錯的選擇。

這些只是一些例子，實際上，08CNE8N-VB還可以用于許多其他領(lǐng)域和模塊，具體取決于應(yīng)用的要求和設(shè)計的需要。