### 086P3N-VB 產品簡介

086P3N-VB 是一款 DFN8(3X3) 封裝的單路 P 溝道 MOSFET，具有 -30V 的漏極-源極電壓（VDS）和 ±20V 的門源極電壓（VGS）。采用溝槽工藝制造，具有低漏阻和高電流特性，適用于各種領域和模塊的高性能應用。

### 086P3N-VB 詳細參數說明

- **封裝：** DFN8(3X3)
- **配置：** 單路 P 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** -30V
- **門源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2.5V
- **靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：**
 - @VGS=4.5V: 18mΩ
 - @VGS=10V: 11mΩ
- **漏極電流（ID）：** -45A
- **技術：** 溝槽工藝

### 086P3N-VB 應用示例

1. **電源模塊：** 由于 086P3N-VB 具有高負向漏極-源極電壓和漏極電流，適用于負向電源模塊中的開關管。
2. **電動工具：** 可用于需要負向電源開關的電動工具中，以提供可靠的電源開關控制。
3. **汽車電子：** 在汽車電子中，該器件可用于汽車電子系統中的功率開關，如電動車控制器和電池管理系統。
4. **工業控制：** 可以用于工業控制系統中的高功率負向電源開關和驅動器，提供可靠的控制和性能。
5. **電源管理：** 由于其高負向漏極電流和低漏阻特性，適用于各種需要負向電源管理的應用中。

以上示例僅為舉例，實際應用取決于具體設計要求和環境。