### 產品簡介：
VBsemi的076N06N-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。該器件工作電壓（VDS）為60V，最大允許門源電壓（VGS）為20V（絕對值），閾值電壓（Vth）為3V。在VGS為10V時，導通電阻（RDS(ON)）為5mΩ，最大漏極電流（ID）為30A。采用了Trench工藝，具有優異的性能和可靠性。
### 參數說明：
- **封裝類型**：DFN8(3X3)
- **通道類型**：單N溝道
- **工作電壓（VDS）**：60V
- **最大允許門源電壓（VGS）**：20V（絕對值）
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：30A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊示例：
1. **電源模塊**：076N06N-VB適用于中功率電源模塊，如電源開關和DC-DC轉換器，在這些模塊中，其低導通電阻和中等漏極電流能力能夠提供高效的能量轉換。
2. **電動工具**：在電動工具中，這種MOSFET可用于電機控制器，確保高效的電力輸出和控制。
3. **汽車電子**：在汽車電子系統中，這種MOSFET可用于車燈控制、電池管理系統等應用，提供可靠的功率控制和管理。
4. **消費電子**：在消費電子產品中，這種MOSFET可用于電源管理和功率控制，如筆記本電腦、平板電腦等設備。
這些只是一些示例，實際應用取決于具體設計和系統要求。
