以下是VBsemi公司的MOSFET產品05N50I-VB的詳細信息：

1. 產品簡介：

  05N50I-VB是一款單N溝道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Plannar技術制造，適用于各種領域和模塊的電路設計。其主要特點包括650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、1100mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及7A的漏極電流（ID）。

2. 參數說明：

  - 型號：05N50I-VB
  - 封裝：TO220F
  - 極性：N溝道
  - 漏極-源極電壓（VDS）：650V
  - 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
  - 閾值電壓（Vth）：3.5V
  - 導通電阻（RDS(ON)）：1100mΩ@VGS=10V
  - 漏極電流（ID）：7A
  - 技術：Plannar

3. 應用舉例：

  05N50I-VB適用于多種領域和模塊，例如：

  - 電源管理：適用于中低功率的開關電源和穩壓器。
  - 照明應用：用于LED照明系統中的功率開關。
  - 工業控制：適用于工業自動化和機器人控制等領域的中低功率開關。
  - 電動車輛：用于電動車輛中的電機控制和電源管理。

以上是05N50I-VB MOSFET產品的詳細信息及其適用領域和模塊的舉例說明。