VBsemi的052NE7N-VB是一款TO262封裝的單N溝道MOSFET。它具有80V的漏極-源極電壓（VDS）、20V（±V）的門極-源極電壓（VGS）、3V的閾值電壓（Vth）、在VGS=4.5V時的10mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、在VGS=10V時的6mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及85A的漏極電流（ID）。該產品采用Trench工藝。

**產品簡介：**
VBsemi的052NE7N-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，適用于多種領域和模塊。它具有低阻抗、高漏極電流和高可靠性的特點，適用于要求高功率密度和高效率的應用場合。

**詳細參數說明：**
- 封裝：TO262
- 類型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：80V
- 門極-源極電壓（VGS）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：85A
- 工藝：Trench

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源模塊**：052NE7N-VB適用于高功率電源模塊，如不間斷電源（UPS）、工業電源等，提供高效率和高可靠性。
2. **汽車電子**：在汽車電子系統中，052NE7N-VB可用于電動助力轉向系統、車載電源管理等，具有快速響應和高可靠性。
3. **工業控制**：在工業控制領域，052NE7N-VB適用于各種類型的電機控制器和功率逆變器，提供高效率和可靠性。
4. **電動工具**：在電動工具中，052NE7N-VB可以作為電機驅動器，提供高功率輸出和響應速度。
5. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，052NE7N-VB可用于高壓、高效率的電能轉換，適用于戶外環境。

這些是052NE7N-VB的一些典型應用場景，但并不限于此，具體應用取決于設計要求和環境條件。