### 產品簡介：
VBsemi的SMG049NE7N-VB是一款TO263封裝的單通道N溝道MOSFET，具有80V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負）和3V的閾值電壓（Vth）。該器件采用溝道工藝，具有在VGS=4.5V時RDS(ON)為10mΩ和在VGS=10V時RDS(ON)為6mΩ的低導通電阻。其最大漏極電流（ID）為120A。
### 參數說明：
- **器件類型**：單通道N溝道MOSFET
- **封裝**：TO263
- **VDS（漏極-源極電壓）**：80V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：120A
- **工藝**：溝道
### 適用領域和模塊舉例：
1. **電源管理模塊**：由于其高漏極電壓和低導通電阻，SMG049NE7N-VB適用于電源管理模塊，如開關電源和直流-直流轉換器，可提供高效的電源控制。
2. **電機驅動模塊**：在電機控制方面，這款MOSFET可用于驅動直流電機，如電動汽車中的電機驅動器，提供高效的電能轉換和電機控制。
3. **照明模塊**：在LED照明應用中，SMG049NE7N-VB可用于開關電源，控制LED的亮度和電流，實現節能和可調光效果。
4. **汽車電子模塊**：由于其高電壓和電流特性，該器件也適用于汽車電子模塊，如電動汽車中的電動驅動器和電池管理系統，提供高效的電能管理和控制。
以上是對SMG049NE7N-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的舉例說明。
