### 產品簡介：
VBsemi的048N06L-VB是一款TO252封裝的單N溝道場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值）、3V的閾值電壓（Vth）、12mΩ@VGS=4.5V和4.5mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及97A的漏極電流（ID）。采用了溝槽工藝（Trench Technology），在高電壓下具有良好的性能和可靠性。
### 參數說明：
- 封裝：TO252
- 類型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：60V
- VGS（柵極-源極電壓）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- RDS(ON)：12mΩ@VGS=4.5V，4.5mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：97A
- 工藝：溝槽工藝
### 適用領域和模塊：
- 電源管理模塊：由于其較低的導通電阻和較高的漏極電流，048N06L-VB適用于電源管理模塊，如直流-直流（DC-DC）變換器和開關穩壓器。
- 電機驅動模塊：在需要高電流輸出的電機驅動模塊中，048N06L-VB可以提供可靠的功率開關控制。
- 照明模塊：對于需要高效能、高可靠性的LED照明驅動器和控制器，該器件也是一個理想選擇。
- 汽車電子：在汽車電子領域，由于其耐高溫、高電壓和高電流的特性，048N06L-VB常被應用于汽車引擎控制單元（ECU）、照明系統和電動機控制器等模塊中。
