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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDD5810-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: FDD5810-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品簡介:
FDD5810-VB是VBsemi品牌推出的N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流容量。該器件采用TO252封裝,具有優良的導熱性和機械強度,適用于各種功率電子應用。

詳細參數說明:
- 溝道類型:N溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):60V
- 額定漏極電流(ID):45A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1.8V

適用領域和模塊舉例:
1. 電源模塊:FDD5810-VB可以作為開關電源模塊中的功率開關器件,用于控制輸出電壓和電流,保證電源穩定輸出。
2. 電動工具:在電動工具中,FDD5810-VB可以作為電機驅動器件,控制電機的啟停和轉速,提供高效的功率傳輸。
3. 電動車輛:用于電動車輛中的電動驅動系統,FDD5810-VB能夠提供高效、可靠的電力轉換和控制,提升車輛性能和能效。
4. 工業自動化:在工業自動化領域中,FDD5810-VB可用于各種電機驅動、變頻器等控制電路,實現精確的運動控制和能量管理。
5. LED照明:作為LED照明驅動器件,FDD5810-VB可以控制LED燈的亮度和穩定性,提高照明系統的效率和可靠性。

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