VBsemi ZXM62N03E6TA-VB MOSFET是一款N溝道溝道MOSFET，具有30V的漏極-源極電壓承受能力，能夠承受最大6A的漏極電流。其導通電阻（RDS(ON)）在10V的柵極-源極電壓下為30mΩ，柵極-源極電壓為20V時為30mΩ，臨界柵極-源極電壓（Vth）為1.2V。該器件采用SOT23-6封裝。

產(chǎn)品簡介：
VBsemi ZXM62N03E6TA-VB MOSFET是一款小型、高性能的N溝道MOSFET，具有低導通電阻和較高的漏極-源極電壓承受能力。它適用于各種需要小尺寸、高效能和中等電流承受能力的應用場合。

詳細參數(shù)說明：
- 電壓承受能力：30V
- 漏極電流：6A
- 導通電阻(RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 20V
- 臨界柵極-源極電壓(Vth)：1.2V

適用領(lǐng)域和模塊示例：
1. 移動設(shè)備：由于ZXM62N03E6TA-VB尺寸小巧，適合用于手機、平板電腦等移動設(shè)備中的電源管理和電池管理模塊。
2. 電源轉(zhuǎn)換器：可用于低功耗電源轉(zhuǎn)換器中，幫助提高轉(zhuǎn)換效率和節(jié)省空間。
3. LED驅(qū)動器：適用于LED照明驅(qū)動器中，幫助實現(xiàn)高效率的LED照明解決方案。
4. 便攜式電子設(shè)備：在便攜式電子設(shè)備中，如便攜式音頻播放器、數(shù)碼相機等，可用于功率開關(guān)和電源管理。
5. 醫(yī)療設(shè)備：可用于醫(yī)療設(shè)備中的電源管理和控制模塊，提高設(shè)備的可靠性和效率。