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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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UTT30P04L-TN3-R-VB一款P—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: UTT30P04L-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

UTT30P04L-TN3-R-VB是VBsemi推出的P-Channel溝道MOSFET,具有-40V的漏極-源極電壓承受能力和-65A的漏極電流承受能力。其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為10mΩ,工作電壓范圍為10V至20V。封裝采用TO252。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: UTT30P04L-TN3-R-VB
- **溝道類型**: P-Channel
- **漏極-源極電壓(VDSS)**: -40V
- **漏極電流(ID)**: -65A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS=10V; 20V時未提供數(shù)據(jù)
- **閾值電壓(Vth)**: -1.6V
- **封裝**: TO252

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**: 由于UTT30P04L-TN3-R-VB具有較大的漏極電流承受能力和低導(dǎo)通電阻,適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理模塊中,可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
  
2. **電池保護(hù)**: 在電池保護(hù)電路中,UTT30P04L-TN3-R-VB可用于過放保護(hù),確保電池在過放時電流被截斷,保護(hù)電池安全。

3. **馬達(dá)驅(qū)動**: 作為馬達(dá)驅(qū)動器的一部分,UTT30P04L-TN3-R-VB可控制馬達(dá)的通斷,用于控制馬達(dá)的轉(zhuǎn)動方向和速度。

4. **照明應(yīng)用**: 在LED驅(qū)動電路中,UTT30P04L-TN3-R-VB可以用作開關(guān)器件,實現(xiàn)對LED燈的亮度調(diào)節(jié)和開關(guān)控制。

5. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,UTT30P04L-TN3-R-VB可用于控制車燈、電動窗等電器設(shè)備的開關(guān),提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

以上僅為UTT30P04L-TN3-R-VB的一些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例,具體應(yīng)用取決于具體設(shè)計需求和環(huán)境。

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