**產品簡介：**
STT3463P-VB是VBsemi品牌的P溝道場效應晶體管（MOSFET），具有低漏極-源極導通電阻、高電流承受能力和負閾值電壓等特點。該器件設計用于各種功率控制和電源管理應用，提供可靠的性能和穩定性。

**詳細參數說明：**
- 漏極-源極電壓承受能力：-60V
- 漏極電流承受能力：-6.5A
- 導通電阻(RDS(ON))：50mΩ @ VGS=10V; VGS=20V
- 閾值電壓(Vth)：-1V 至 -3V
- 封裝類型：SOT23-6
- 品牌：VBsemi

**適用領域和模塊示例：**
1. **電源管理：** STT3463P-VB可用于各種電源管理應用，如開關模式電源、電池充放電管理和穩壓器等。其負閾值電壓特性使其在負電壓應用中非常有用。

2. **功率逆變器：** 在功率逆變器和變頻器中，該器件可用于控制功率開關器件，實現直流到交流電的轉換。其高電流承受能力和低導通電阻有助于提高逆變器的效率和可靠性。

3. **電動車充電器：** 作為電動車充電器中的關鍵器件之一，STT3463P-VB可用于控制充電器的輸入輸出和電流調節。其高性能和耐壓特性使其能夠在高功率充電器中穩定運行。

4. **DC-DC轉換器：** 在DC-DC轉換器中，該器件可用于控制電源開關，實現不同電壓之間的轉換。其低導通電阻和高電流承受能力有助于提高轉換效率和穩定性。