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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SQD25N06-35L-GE3-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: SQD25N06-35L-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品簡介:**
SQD25N06-35L-GE3-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應晶體管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流承受能力。采用TO252封裝,適用于中大功率應用。該晶體管具有低導通電阻和高電流承受能力,可用于各種高性能電路設計。

**詳細參數說明:**
- 漏極-源極電壓承受能力:60V
- 漏極電流承受能力:45A
- 導通電阻(RDS(ON)):
 - VGS=10V時:24mΩ
 - VGS=20V時:24mΩ
- 閾值電壓(Vth):1.8V
- 封裝類型:TO252
- 品牌:VBsemi

**適用領域和模塊示例:**
1. **電源系統:** SQD25N06-35L-GE3-VB可用于開關電源、DC-DC轉換器和充電電路中,實現對電能的高效控制和轉換。
 
2. **電機控制:** 在工業自動化、機器人和電動車中,SQD25N06-35L-GE3-VB可用于電機控制器,實現對電機的精準控制和高效驅動。
 
3. **電動工具:** 在電鉆、電錘和電鋸等電動工具中,SQD25N06-35L-GE3-VB可用于電機驅動電路,提高工具的動力和性能。

4. **電子設備:** 在服務器電源、工控設備和電源適配器中,SQD25N06-35L-GE3-VB可用于電源管理單元,保證設備的穩定供電和高效運行。

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