**VBsemi N-Channel MOSFET SQ3456BEV-T1-GE3-VB**

- **絲印：** VB7322
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N—Channel溝道
 - 額定電壓：30V
 - 額定電流：6A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：1.2V
- **封裝：** SOT23-6

**產品簡介：**

SQ3456BEV-T1-GE3-VB是VBsemi生產的一款N-Channel溝道的MOSFET。它具有低導通電阻、低閾值電壓和高性能，適用于各種低功率應用。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 該MOSFET的額定電壓為30V，適用于低電壓電路設計。

2. **額定電流（ID）：** 具有6A的額定電流，適用于小功率電路和開關應用。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V時，導通電阻為30mΩ，這有助于降低功率損耗，提高效率。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為1.2V，使得器件易于控制和驅動。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電池管理系統：** 用于移動設備和便攜式電子產品中的電池管理系統。

2. **LED驅動：** 可用作LED照明中的驅動器件，例如LED燈帶控制器和LED燈泡驅動器。

3. **電源管理：** 適用于小功率電源中的開關電源和DC-DC轉換器等應用。

SQ3456BEV-T1-GE3-VB的低電阻和低閾值電壓特性使其在各種低功率應用中具有廣泛的應用前景。