--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個(gè)N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi N+P-Channel MOSFET SPC6605ST6RG-VB**
- **絲印:** VB5222
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- 2個(gè)N+P—Channel溝道
- 額定電壓:±20V
- 額定電流:7A(N-Channel) / 4.5A(P-Channel)
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):20mΩ(N-Channel) / 70mΩ(P-Channel)@ VGS=4.5V
- 閾值電壓(Vth):0.71V(N-Channel) / -0.81V(P-Channel)
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
SPC6605ST6RG-VB是一款雙通道(N+P-Channel)MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。它結(jié)合了N-Channel和P-Channel的優(yōu)點(diǎn),具有高額定電壓、高電流容量和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于各種功率電路設(shè)計(jì)。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. **額定電壓(VDS):** ±20V的額定電壓使得該MOSFET適用于雙極性電路設(shè)計(jì),能夠處理正負(fù)電壓信號(hào)。
2. **額定電流(ID):** N-Channel溝道支持7A的電流,P-Channel溝道支持4.5A的電流,提供了較高的功率處理能力。
3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=4.5V時(shí),N-Channel溝道的導(dǎo)通電阻為20mΩ,P-Channel溝道的導(dǎo)通電阻為70mΩ,這有助于降低導(dǎo)通損耗,提高效率。
4. **閾值電壓(Vth):** N-Channel溝道的閾值電壓為0.71V,P-Channel溝道的閾值電壓為-0.81V,使得器件易于控制和驅(qū)動(dòng)。
**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **功率放大器:** 由于具有雙通道設(shè)計(jì),可用于功率放大器的輸入和輸出級(jí),以實(shí)現(xiàn)雙極性信號(hào)放大。
2. **電源管理:** 可用于雙極性電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng)和雙極性穩(wěn)壓器。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 適用于雙電源電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,如雙電源電機(jī)控制器和雙電源電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。
綜上所述,SPC6605ST6RG-VB是一款高性能的雙通道MOSFET,適用于多種領(lǐng)域,包括功率放大器、電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
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