以下是SI3460DV-T1-GE3-VB的產品信息：

### 產品簡介
SI3460DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產的N-Channel溝道功率MOSFET，采用SOT23-6封裝。它具有低導通電阻、高電流承受能力和優秀的電壓控制特性，適用于各種低壓、高電流的功率管理和開關電路設計。

### 詳細參數說明
- **電壓額定值 (VDS):** 30V
- **電流額定值 (ID):** 6A
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS = 10V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.2V
- **最大柵極—源極電壓 (VGS(max)):** ±20V

### 應用領域和模塊舉例
1. **電源管理：** SI3460DV-T1-GE3-VB可用于電源開關、DC-DC轉換器和穩壓器等電源管理模塊中，適用于便攜式電子產品、無線通信設備和工業控制系統等領域。

2. **電機驅動：** 在電機驅動器和電機控制模塊中，SI3460DV-T1-GE3-VB可用于直流電機、步進電機和無刷電機的驅動器，適用于家用電器、汽車電子和機器人技術等領域。

3. **LED照明：** 用于LED驅動器和照明控制系統中，SI3460DV-T1-GE3-VB可實現LED燈帶、車燈和戶外照明的驅動控制，提供高效能的照明解決方案。

4. **電池保護：** 適用于鋰電池組件和電池保護電路設計，SI3460DV-T1-GE3-VB可實現電池充放電控制和保護功能，提高電池組件的安全性和可靠性。

5. **功率放大器：** 在功率放大器和音頻放大器電路中，SI3460DV-T1-GE3-VB可用作輸出級功率管，實現高保真音頻放大和功率驅動功能。

綜上所述，SI3460DV-T1-GE3-VB適用于各種需要N-Channel溝道功率MOSFET的應用，包括電源管理、電機驅動、LED照明、電池保護和功率放大器等領域。