**產品簡介：**
SI3460BDV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET，具有30V的額定電壓和6A的額定電流。其導通電阻為30mΩ @ VGS=10V。該器件采用SOT23-6封裝，適用于各種低功率電路應用。

**詳細參數說明：**
- 通道類型：N-Channel溝道
- 額定電壓（VDS）：30V
- 額定電流（ID）：6A
- 導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
- 門極電壓（VGS）：20V
- 門極閾值電壓（Vth）：1.2V
- 封裝類型：SOT23-6

**適用領域和模塊：**
SI3460BDV-T1-GE3-VB適用于多種領域和模塊，其中包括但不限于以下幾個方面：

1. **電源管理模塊**：該型號的MOSFET可用于低功率電源管理模塊中，例如DC-DC轉換器和穩壓器。它可以幫助實現高效的功率轉換和電壓穩定功能，適用于便攜式設備、通信設備等領域。

2. **驅動器模塊**：在驅動器模塊中，SI3460BDV-T1-GE3-VB可用于電機驅動、磁盤驅動等應用，幫助控制電流和功率，實現精確的驅動控制。

3. **LED照明**：適用于LED照明產品中的LED驅動器模塊，用于LED燈的亮度調節和功率控制，提供高效能耗管理和光照控制功能。

4. **電池保護模塊**：在電池管理系統中，該型號的MOSFET可用于電池保護模塊，實現對電池充放電過程的監測和保護，確保電池的安全運行。

綜上所述，SI3460BDV-T1-GE3-VB適用于電源管理、驅動器、LED照明和電池保護等領域，為這些領域的電子產品提供穩定、高效的功率管理和控制功能。