--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi N-Channel MOSFET SI3456DV-T1-GE3-VB**
- **絲印:** VB7322
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- N-Channel溝道
- 額定電壓:30V
- 額定電流:6A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):1.2V
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡介:**
SI3456DV-T1-GE3-VB是一款N-Channel MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。它是一種低壓、低導(dǎo)通電阻的MOSFET,適用于各種低至中功率的電路設(shè)計,如電源管理、開關(guān)和驅(qū)動電路。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. **額定電壓(VDS):** 30V的額定電壓使得該MOSFET適用于低至中等功率的電路設(shè)計,如電源管理和開關(guān)電路。
2. **額定電流(ID):** 6A的額定電流表明它能夠處理中等功率負(fù)載,適用于多種電源管理和驅(qū)動電路。
3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在10V的柵極-源極電壓下,導(dǎo)通電阻為30mΩ,這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,該器件會產(chǎn)生較低的功率損耗。
4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓為1.2V,使得器件易于控制,適用于高效率的電路設(shè)計。
**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源管理:** 可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)等。
2. **驅(qū)動器:** 適用于電機驅(qū)動器、LED驅(qū)動器和風(fēng)扇驅(qū)動器等。
3. **開關(guān)電路:** 用于開關(guān)模塊、穩(wěn)壓器和電源逆變器等電路設(shè)計。
綜上所述,SI3456DV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的N-Channel MOSFET,適用于多種低至中功率的電源管理、開關(guān)和驅(qū)動電路應(yīng)用。
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