**VBsemi P-Channel MOSFET SI3445DV-T1-GE3-VB**

- **絲印：** VB8658
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - P-Channel溝道
 - 額定電壓：-60V
 - 額定電流：-6.5A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：50mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：-1V 到 -3V
- **封裝：** SOT23-6

**產品簡介：**

SI3445DV-T1-GE3-VB是一款P-Channel MOSFET，由VBsemi生產。它具有高耐壓和低導通電阻特性，適用于多種電源管理、開關和驅動電路。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** -60V的額定電壓使得該MOSFET適用于廣泛的應用場景，包括低至中等功率的電路設計。

2. **額定電流（ID）：** -6.5A的額定電流表明它能夠處理中等功率負載，適用于多種電源管理和驅動電路。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在10V的柵極-源極電壓下，導通電阻為50mΩ，這意味著在導通狀態下，器件會產生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓在-1V到-3V之間可調，這使得器件易于控制，適用于高效率的電路設計。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源管理：** 可用于負載開關、電源逆變器和電池管理系統等。

2. **驅動器：** 適用于電機驅動器、LED驅動器和風扇驅動器等。

3. **開關電路：** 用于開關模塊、DC-DC轉換器和穩壓器等電路設計。

綜上所述，SI3445DV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的P-Channel MOSFET，適用于多種低至中功率的電源管理、開關和驅動電路應用。