**VBsemi N-Channel MOSFET SI3424BDV-T1-GE3-VB**

- **絲印：** VB7322
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓：30V
 - 額定電流：6A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：1.2V
- **封裝：** SOT23-6

**產品簡介：**

SI3424BDV-T1-GE3-VB是VBsemi推出的N-Channel MOSFET，具有低導通電阻和高電流特性。它適用于多種應用，包括電源管理、電池管理、驅動器和開關電路等。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 30V的額定電壓使得該MOSFET適用于中低壓電路設計，例如電池管理和低壓開關電路。

2. **額定電流（ID）：** 6A的額定電流表明它能夠處理中等功率負載，適用于大多數低至中功率電路。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在10V的柵極-源極電壓下，導通電阻為30mΩ，這意味著在導通狀態下，器件會產生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為1.2V，這使得器件易于控制，適用于高效率的電路設計。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源管理：** 可用于低壓電源管理模塊，如DC-DC轉換器、穩壓器和開關模塊。

2. **電池管理：** 適用于鋰電池管理系統中的充放電控制、保護和電池平衡電路。

3. **驅動器：** 用于驅動各種負載的電路，如電機驅動器、LED驅動器和風扇驅動器等。

4. **開關電路：** 用于各種開關電路設計，如開關電源、電子開關和逆變器等。

綜上所述，SI3424BDV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的N-Channel MOSFET，適用于多種低至中功率的電源管理、電池管理、驅動器和開關電路應用。