### 產品簡介
**型號:** QM3003J-VB
**絲印:** VBI2338
**品牌:** VBsemi
**產品描述:** QM3003J-VB 是一款由 VBsemi 生產的 P 溝道 MOSFET 器件，具有負的最大漏源電壓 (-30V) 和最大漏極電流 (-5.8A)。該 MOSFET 在柵源電壓 (Vgs) 為 10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 50mΩ。其柵極閾值電壓 (Vth) 在 -0.6V 到 -2V 范圍內。QM3003J-VB 采用 SOT89-3 封裝，具有良好的散熱性能和可靠性，適用于各種電子設備和系統。
### 詳細參數說明
- **型號:** QM3003J-VB
- **絲印:** VBI2338
- **品牌:** VBsemi
- **極性:** P 溝道
- **最大漏源電壓 (Vds):** -30V
- **最大漏極電流 (Id):** -5.8A
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 50mΩ (Vgs = 10V)
- **柵極閾值電壓 (Vth):** -0.6V 至 -2V
- **最高柵源電壓 (Vgs):** 20V
- **封裝類型:** SOT89-3
- **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C
- **功率耗散 (Pd):** 2W
- **輸入電容 (Ciss):** 350pF (典型值)
- **輸出電容 (Coss):** 75pF (典型值)
- **反向傳輸電容 (Crss):** 45pF (典型值)
- **開關時間:**
- 開啟時間 (ton): 15ns
- 關斷時間 (toff): 25ns
### 應用領域和模塊
QM3003J-VB P 溝道 MOSFET 在各種領域和模塊中有著廣泛的應用，其中包括但不限于：
1. **電源逆變器:** 在電源逆變器中，QM3003J-VB 可用作功率開關器件，實現直流電源到交流電源的轉換。它在逆變器拓撲結構中可以作為開關管，用于控制電流流向和電壓輸出。
2. **電池保護:** 在便攜式電子設備和電池管理系統中，QM3003J-VB 可用于電池保護電路。通過控制電池充放電流，保護電池免受過充、過放和短路等危害，延長電池壽命。
3. **電流控制器:** 該 MOSFET 還適用于電流控制器和電流限制器中，如充電器和 LED 驅動器。它可以調節電流流過載體的能力，確保電路穩定運行并避免過載損壞。
4. **電機驅動:** 在汽車、機器人和工業自動化領域，QM3003J-VB 可用作電機驅動器件。它可以用于直流電機驅動器中，幫助控制電機速度和方向。
5. **低壓開關:** 由于其負的最大漏源電壓，該 MOSFET 適用于低壓開關電路，如低壓 DC-DC 轉換器和開關模式電源。它可以幫助實現高效的能源轉換和穩定的電源輸出。
QM3003J-VB 的廣泛應用范圍和可靠性使其成為電子工程師在設計各種電路和系統時的理想選擇。
