**NTGD4167CT1G-VB**是VBsemi品牌的雙通道（N+P）場效應管。絲印標識為VB5222，封裝為SOT23-6。該器件具有以下主要參數：

- **漏極-源極電壓（VDS）：** ±20V
- **漏極電流（ID）：** 7A（N-Channel） / -4.5A（P-Channel）
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 20mΩ @ VGS=4.5V（N-Channel） / 70mΩ @ VGS=4.5V（P-Channel）
- **閾值電壓（Vth）：** 0.71V（N-Channel） / -0.81V（P-Channel）

**產品簡介：**

NTGD4167CT1G-VB是一款高性能的雙通道場效應管，具有N溝道和P溝道兩種型號。它適用于需要同時控制正負電壓的電路設計，提供了靈活性和效率。

**詳細參數說明：**

- **型號：** NTGD4167CT1G-VB
- **品牌：** VBsemi
- **器件類型：** 雙通道（N+P）場效應管
- **絲印：** VB5222
- **封裝：** SOT23-6
- **N-Channel參數：**
 - **漏極-源極電壓（VDS）：** ±20V
 - **漏極電流（ID）：** 7A
 - **導通電阻（RDS(ON)）：** 20mΩ @ VGS=4.5V
 - **閾值電壓（Vth）：** 0.71V
- **P-Channel參數：**
 - **漏極-源極電壓（VDS）：** ±20V
 - **漏極電流（ID）：** -4.5A
 - **導通電阻（RDS(ON)）：** 70mΩ @ VGS=4.5V
 - **閾值電壓（Vth）：** -0.81V

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源管理：** NTGD4167CT1G-VB可用于電源管理模塊中的功率開關和電流調節器，靈活地控制正負電壓。例如，用于電池充放電管理系統中的電流保護和電源開關。

2. **電路保護：** 在電路保護領域，該器件可以應用于過壓、欠壓保護電路中，保護各種類型的負載。例如，用于電路開關和斷路器中的電流和電壓保護功能。

3. **信號開關：** NTGD4167CT1G-VB可用于高頻信號開關模塊中，控制信號通路的開關。例如，在無線通信系統中的射頻開關電路和天線切換器中。

4. **傳感器接口：** 在傳感器接口電路中，該器件可用于控制傳感器信號的放大和反向保護。例如，在溫度傳感器和壓力傳感器接口電路中，以確保傳感器信號的準確性和穩定性。