NTD32N06T4G-VB
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**產品簡介：**
NTD32N06T4G-VB 是 VBsemi 公司推出的 N-Channel 溝道 MOSFET。該器件具有出色的性能特征，包括 60V 的漏極-源極電壓承受能力，45A 的漏極電流能力以及低導通電阻 RDS(ON)（在 VGS=10V 時為 24mΩ）。封裝采用 TO252，適用于各種電路設計需求。
**詳細參數說明：**
- 溝道類型：N-Channel
- 最大漏極-源極電壓（VDS）：60V
- 最大漏極電流（ID）：45A
- 導通電阻 RDS(ON)：
- 在 VGS=10V 時：24mΩ
- 門源極閾值電壓（Vth）：1.8V
**適用領域和模塊舉例：**
1. **電源管理模塊：** 由于其高電壓和電流承受能力以及低導通電阻，NTD32N06T4G-VB 在電源管理電路中具有重要的應用。它可以用于 DC-DC 轉換器、開關穩壓器等模塊，確保高效的能量轉換和穩定的電源輸出。
2. **電機控制模塊：** 在電機控制領域，NTD32N06T4G-VB 可以用于驅動直流電機、步進電機等。其高電流承受能力和穩定的性能使其成為電機控制模塊中的理想選擇，提供可靠的電機驅動功能。
3. **汽車電子系統：** 該器件也在汽車電子系統中得到廣泛應用。它可以用于車輛動力管理、車身電子控制、照明系統等模塊，為汽車提供可靠的功率控制和電源管理功能。
以上是 NTD32N06T4G-VB 在一些常見領域和模塊中的應用示例，其優秀的性能和穩定性使其在許多其他電子設備和模塊中也有著廣泛的應用前景。
