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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTC3585G6-VB一種2個N+P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號: MTC3585G6
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個N+P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

以下是MTC3585G6-VB型號的產品簡介和詳細參數說明:

### 產品簡介:

MTC3585G6-VB是VBsemi生產的雙通道(2個N+P—Channel)溝道功率場效應晶體管,具有以下特點:
- 負載工作電壓:±20V
- 最大漏極電流:7A (N-Channel), -4.5A (P-Channel)
- N-Channel靜態漏極-源極電阻:20mΩ @ VGS=4.5V
- P-Channel靜態漏極-源極電阻:70mΩ @ VGS=4.5V
- 門極閾值電壓:0.71V (N-Channel), -0.81V (P-Channel)

### 參數說明:

- **負載工作電壓 (VDS)**: ±20V,指定了晶體管在負載工作時的最大電壓范圍。
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A (N-Channel), -4.5A (P-Channel),表示晶體管能夠承受的最大漏極電流。
- **N-Channel靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在門極電壓為4.5V時,N-Channel靜態漏極-源極電阻為20mΩ。這個參數表示了N-Channel晶體管導通時的導通電阻。
- **P-Channel靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在門極電壓為4.5V時,P-Channel靜態漏極-源極電阻為70mΩ。這個參數表示了P-Channel晶體管導通時的導通電阻。
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 0.71V (N-Channel), -0.81V (P-Channel),是晶體管開始導通的門極電壓閾值。

### 應用領域和模塊舉例:

1. **電源開關模塊**:MTC3585G6-VB的雙通道設計使其適用于電源開關模塊,可同時控制正負電壓,提供穩定的電源開關和調節功能。
  
2. **電機驅動**:在電機驅動領域,MTC3585G6-VB可用于控制電機的正反轉,實現高效的電機驅動和速度調節。
  
3. **DC-DC轉換器**:由于MTC3585G6-VB具有較高的漏極電流和低的漏極-源極電阻,適用于DC-DC轉換器中,實現高效率的電壓轉換和功率管理。

MTC3585G6-VB的特性使其在各種領域和模塊中都能發揮重要作用,提供高效、穩定的功率控制和管理功能。

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