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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J207-VB一款P—Channel溝道SOT89-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: J207-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT89-3封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品簡介:
J207-VB 是 VBsemi 公司推出的 P-Channel 溝道場效應晶體管,具有-30V的漏極-源極電壓承受能力和-5.8A的漏極電流。該器件采用 SOT89-3 封裝。J207-VB 在低壓功率控制電路中具有優異的性能,適用于各種電子設備的設計。

詳細參數說明:
- 溝道類型:P-Channel
- 最大漏極-源極電壓:-30V
- 最大漏極電流:-5.8A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):50mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時)
- 閾值電壓 (Vth):-0.6V 至 -2V

應用領域和模塊示例:

1. 低功率電源管理模塊:J207-VB 適用于各種低功率電源管理模塊,如移動設備充電管理、電池保護電路等。其特性使其在這些應用中能夠提供高效率和可靠性。

2. 信號開關:在各種信號開關電路中,J207-VB 可以作為信號開關器件使用。其低漏極電阻和低閾值電壓可以確保在低功率條件下提供穩定的信號開關功能。

3. 便攜式電子設備:J207-VB 可以應用于便攜式電子設備,如智能手機、平板電腦等的電源管理和信號控制電路中,以實現高效率和長續航時間。

4. 電池保護電路:在電池保護電路中,J207-VB 可以作為過充、過放保護器件使用。其性能能夠確保電池在充放電過程中安全可靠。

通過以上示例,可以看出 J207-VB 在各種低功率電子設備和電路中都具有廣泛的應用潛力,為設計者提供了靈活可靠的解決方案。

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