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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD25N06S2-40-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: IPD25N06S2-40-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品簡介:
IPD25N06S2-40-VB 是 VBsemi 公司推出的 N-Channel 溝道場效應晶體管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流。其封裝為 TO252。該器件在高功率應用中具有優異的性能,適用于各種領域的功率電子設計。

詳細參數說明:
- 溝道類型:N-Channel
- 最大漏極-源極電壓:60V
- 最大漏極電流:45A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時)
- 閾值電壓 (Vth):1.8V

應用領域和模塊示例:

1. 電源管理模塊:IPD25N06S2-40-VB 適用于各種類型的電源管理模塊,如開關電源、DC-DC 變換器等。其低漏極電阻和高漏極-源極電壓能力使其在這些應用中具有優異的性能,能夠有效地降低功率損耗并提高效率。

2. 電動工具:在電動工具領域,如電鉆、電鋸等設備中,IPD25N06S2-40-VB 可以作為功率開關器件使用。其高漏極電流能力和低漏極-源極電阻可以確保設備在高功率輸出時穩定可靠。

3. 電動汽車充電樁:電動汽車充電樁需要高效率和穩定性能的功率器件來實現快速充電。IPD25N06S2-40-VB 可以被應用在充電樁的功率轉換模塊中,以提供高效率和可靠性。

4. 工業自動化設備:在各種工業自動化設備中,如機器人、自動化生產線等,IPD25N06S2-40-VB 可以作為電機驅動器或開關電源的關鍵組件。其高電壓承受能力和低導通電阻可以確保設備在高負載條件下穩定運行。

通過這些示例,可以看出 IPD25N06S2-40-VB 在多個領域和模塊中都具有廣泛的應用前景,為各種功率電子設計提供了可靠的解決方案。

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