## 產品簡介：

**型號：** HUF76419D3ST-VB  
**絲印：** VBE1638  
**品牌：** VBsemi  
**封裝：** TO252  

HUF76419D3ST-VB是一款N溝道MOSFET，具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流承受能力。其特性包括低導通電阻和合適的閾值電壓，適用于多種領域和應用模塊。

## 參數說明：

- **N溝道溝道MOSFET**
- **漏極-源極電壓（VDS）:** 60V
- **漏極電流（ID）:** 45A
- **導通電阻（RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, 20V
- **閾值電壓（Vth):** 1.8V
- **封裝類型:** TO252  

## 應用領域和模塊示例：

1. **電源模塊：** HUF76419D3ST-VB的高漏極電流承受能力和低導通電阻使其成為電源模塊中的理想選擇，特別是在高性能、高效率的電源設計中。

2. **電機驅動：** 由于其能夠承受較高電流和電壓，因此在電機驅動模塊中，特別是需要高效率和快速開關的應用中，這款MOSFET可以發揮重要作用。

3. **電動車電池管理系統（BMS）：** 電動車電池管理系統需要控制和保護電池，而HUF76419D3ST-VB的低導通電阻和高電壓承受能力使其成為BMS模塊中的一部分，用于電池的保護和管理。

4. **LED照明：** 在LED照明模塊中，這款MOSFET可用于調光和控制LED燈的亮度，其高效率和低損耗特性有助于提高整體系統的能效。

5. **工業自動化：** 在工業自動化控制系統中，這款MOSFET可以用于驅動各種執行器和電機，以實現高效的自動化生產流程。

HUF76419D3ST-VB的特性使其適用于許多不同的應用領域，為各種電子系統提供高性能和可靠性。