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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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HM5P55R-VB一款P—Channel溝道SOT223的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: HM5P55R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT223封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
HM5P55R-VB是VBsemi生產的P溝道場效應管,具有-60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大-6.5A的電流。其特點包括低導通電阻(RDS(ON))為58mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為-1V至-3V之間。該器件采用SOT223封裝,適用于各種應用場合。

二、詳細參數說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):-60V
- 最大連續漏極電流(ID):-6.5A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):58mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):-1V至-3V

三、適用領域和模塊示例:
1. 低壓電源模塊:HM5P55R-VB適用于負壓穩壓器和負壓開關模塊,提供穩定的負電壓輸出,常見于電子設備中的負電壓電源模塊。
2. 電池保護系統:在便攜式電子設備、無線通信設備和電池供電系統中,該器件可用于電池保護和電流控制,確保電池安全運行。
3. 電源管理系統:HM5P55R-VB可用于電源開關模塊、穩壓器和DC-DC轉換器,提供高效率的功率轉換和電流控制,常見于各類電源管理系統和電源轉換器中。

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