--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT223封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
一、產品簡介:
HM5P55R-VB是VBsemi生產的P溝道場效應管,具有-60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大-6.5A的電流。其特點包括低導通電阻(RDS(ON))為58mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為-1V至-3V之間。該器件采用SOT223封裝,適用于各種應用場合。
二、詳細參數說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):-60V
- 最大連續漏極電流(ID):-6.5A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):58mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):-1V至-3V

三、適用領域和模塊示例:
1. 低壓電源模塊:HM5P55R-VB適用于負壓穩壓器和負壓開關模塊,提供穩定的負電壓輸出,常見于電子設備中的負電壓電源模塊。
2. 電池保護系統:在便攜式電子設備、無線通信設備和電池供電系統中,該器件可用于電池保護和電流控制,確保電池安全運行。
3. 電源管理系統:HM5P55R-VB可用于電源開關模塊、穩壓器和DC-DC轉換器,提供高效率的功率轉換和電流控制,常見于各類電源管理系統和電源轉換器中。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:56
產品型號:BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:51
產品型號:BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:50
產品型號:BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:47
產品型號:BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:35
產品型號:BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N