**產品簡介：**
FDC655AN-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應晶體管，具有30V的漏極-源極電壓承受能力，最大漏極電流為6A，漏極-源極電阻在10V下為30mΩ。該器件的門極-源極電壓(VGS)在10V時工作，閾值電壓(Vth)為1.2V。封裝形式為SOT23-6。

**詳細參數說明：**
- **溝道類型：** N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS)：** 30V
- **最大漏極電流(ID)：** 6A
- **漏極-源極電阻(RDS(ON))：** 30mΩ @ VGS=10V
- **門極-源極電壓(VGS)：** 10V
- **閾值電壓(Vth)：** 1.2V
- **封裝：** SOT23-6

**適用領域和模塊示例：**

1. **移動設備：** FDC655AN-VB可用于移動設備中的功率管理器件，例如智能手機、平板電腦等。其小型封裝和高性能使其適合于便攜式電子設備中的功率管理和電源開關應用。

2. **LED照明：** 在LED照明應用中，FDC655AN-VB可用作LED驅動器的功率開關器件。其高效率和低導通電阻使其能夠提供高質量的LED照明控制和調光功能。

3. **電池管理：** 在電池管理系統中，FDC655AN-VB可用于充放電控制和電池保護。其高電流承受能力和低導通電阻使其適用于電池管理系統中的功率開關和充放電控制。

綜上所述，FDC655AN-VB適用于需要高性能功率開關和驅動器的各種領域，包括但不限于移動設備、LED照明和電池管理。