### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi的2SJ190-VB是一款P溝道MOSFET，適用于各種低壓、中壓和高壓應(yīng)用。具有-60V的耐壓能力和-5A的電流承受能力，內(nèi)部電阻（RDS(ON)）為58mΩ（@ VGS=10V）。采用SOT89-3封裝，適用于小型電路板應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)：** 2SJ190-VB
- **絲印：** VBI2658
- **品牌：** VBsemi
- **溝道類(lèi)型：** P溝道
- **最大耐壓：** -60V
- **最大電流：** -5A
- **內(nèi)部電阻（RDS(ON)）：** 58mΩ @ VGS=10V
- **門(mén)極-源極閾值電壓（Vth）：** 1~3V
- **封裝：** SOT89-3
### 三、適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **功率管理模塊：**
2SJ190-VB適用于功率管理模塊，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器。其高耐壓能力和低內(nèi)部電阻可確保功率管理模塊的高效率和穩(wěn)定性。
2. **逆變器模塊：**
作為P溝道MOSFET，2SJ190-VB可用于逆變器模塊，用于轉(zhuǎn)換直流電源為交流電源。適用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電器等領(lǐng)域。
3. **開(kāi)關(guān)電源模塊：**
在開(kāi)關(guān)電源模塊中，2SJ190-VB可用作開(kāi)關(guān)管以實(shí)現(xiàn)電源的開(kāi)關(guān)控制。其高耐壓能力和低內(nèi)部電阻可確保開(kāi)關(guān)電源模塊的高效率和穩(wěn)定性。
4. **電動(dòng)汽車(chē)模塊：**
由于其耐壓能力和電流承受能力，2SJ190-VB可用于電動(dòng)汽車(chē)模塊，如電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)。確保電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)的安全性和可靠性。
5. **音頻放大器模塊：**
2SJ190-VB還可用于音頻放大器模塊，用作功率放大器的輸出級(jí)開(kāi)關(guān)。其低內(nèi)部電阻和穩(wěn)定性能可確保音頻放大器的高保真度和穩(wěn)定性。
