1. 產品簡介：
18N6LG-VB是VBsemi生產的N溝道場效應晶體管，封裝為TO252。它具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流承受能力。在10V的柵極-源極電壓下，其導通電阻(RDS(ON))為24mΩ。柵極-源極閾值電壓(Vth)為1.8V。
2. 參數說明：
- 電壓承受能力：60V
- 電流承受能力：45A
- 導通電阻：RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓：Vth = 1.8V
- 封裝類型：TO252
3. 適用領域和模塊：
- 電源模塊：由于其較高的電壓和電流承受能力，18N6LG-VB適用于電源模塊，特別是需要承受高電壓和高電流的應用。
- 電機驅動：該晶體管可以用于驅動電機，如直流電機或步進電機，在工業自動化、機器人和汽車電子等領域。
- 電源開關：由于其低導通電阻和高電壓承受能力，適用于電源開關，用于開關電源和逆變器等應用。
- 照明控制：可用于LED驅動、照明控制器和電子變壓器等照明應用中，實現高效能的功率控制和調光功能。
