產品
-
C3M0120100K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:05
產品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W -
C3M0120100J碳化硅MOSFET2022-05-23 20:57
產品型號：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 單脈沖：83W -
C3M0065100K碳化硅MOSFET2022-05-23 18:20
產品型號：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110W -
CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-23 14:45
產品型號：CG2H40035F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益 電壓：28 伏操作 -
CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:42
產品型號：CG2H40035F 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益 電壓：28 伏操作 -
CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:36
產品型號：CG2H40035P 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益 電壓：28 伏操作 -
C3M0065100J碳化硅MOSFET2022-05-22 22:19
產品型號：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110mJ -
C3M0280090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:45
產品型號：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：22A 功耗：49W -
C3M0120090D碳化硅MOSFET2022-05-22 21:36
產品型號：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：97W -
C3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:24
產品型號：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W