產品
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CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:56
產品型號：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:54
產品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:45
產品型號：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 30 % 應用特性：可應用高度 DPD 校正 -
CGH21240F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:32
產品型號：CGH21240F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 PAVE功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 時效率為 33% 應用特性：可應用高度 DPD 校正 -
CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:30
產品型號：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 時效率為 33% 應用特點：可應用高度 DPD 校正 -
CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:16
產品型號：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 35 % 應用：可應用高度 DPD 校正 -
CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:13
產品型號：CGH21120F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 35 % 應用：可應用高度 DPD 校正 -
CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:00
產品型號：CGH09120F 頻率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分貝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 35 % 適用于：可應用高度 DPD 校正 -
CG2H80120D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 09:47
產品型號：CG2H80120D-GP4 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓 環境：高溫操作 頻率：高達 8 GHz 的操作 -
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 09:33
產品型號：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓 環境：高溫操作 頻率：高達 8 GHz 的操作