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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • CAS380M17HM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:45

    產品型號:CAS380M17HM3 阻斷電壓:1700V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋 電阻:3.3μJ 模塊尺寸:110毫米x65毫米x12.2 毫米
  • EAB450M12XM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:32

    產品型號:EAB450M12XM3 阻斷電壓:1200V 包裹:XM3 配置:半橋 電阻:2.6μJ 模塊尺寸:80 x 53 x 19 毫米
  • CGH40045F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-09 11:39

    產品型號:CGH40045F-AMP 頻率:高達 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 12 dB 小信號增益 PSAT功率:55 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 55%
  • CGH40045P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:37

    產品型號:CGH40045P 頻率:高達 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 12 dB 小信號增益 PSAT功率:55 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 55%
  • CGH40045F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:33

    產品型號:CGH40045F 頻率:高達 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 12 dB 小信號增益 PSAT功率:55 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 55%
  • CGH40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-09 11:11

    產品型號:CGH40035F-AMP 頻率:高達 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 PSAT功率:45 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 60 % 的效率
  • CGH40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:08

    產品型號:CGH40035F 頻率:高達 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 PSAT功率:45 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 60 % 的效率
  • CGH40025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-09 10:47

    產品型號:CGH40025F-AMP 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 PSAT功率:30 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 62%
  • CGH40025F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 10:44

    產品型號:CGH40025F 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 PSAT功率:30 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 62%
  • CGH40025P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 10:41

    產品型號:CGH40025P 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 PSAT功率:30 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 62%