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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • CAS300M12BM2碳化硅功率模塊2022-06-10 22:00

    產(chǎn)品型號：CAS300M12BM2 阻斷電壓：1200V 包裹：62毫米 配置：半橋 電阻：13μJ 模塊尺寸：106 x 62 x 30 毫米

  • CAS300M17BM2碳化硅功率模塊2022-06-10 20:20

    產(chǎn)品型號：CAS300M17BM2 阻斷電壓：1700V 包裹：62毫米 配置：半橋 電阻：8μJ 模塊尺寸：106 x 62 x 30 毫米

  • CAS120M12BM2碳化硅功率模塊2022-06-10 20:15

    產(chǎn)品型號：CAS120M12BM2 阻斷電壓：1200V 包裹：62毫米 配置：半橋 電阻：13μJ 模塊尺寸：106 x 62 x 30 毫米

  • CAB011M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-10 20:03

    產(chǎn)品型號：CAB011M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調(diào)頻3 配置：半橋 電阻：11μJ 內(nèi)部柵極電阻：3.2 ?

  • CGH40090PP-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-10 14:40

    產(chǎn)品型號：CGH40090PP-AMP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率：100 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% 電壓：28 伏操作

  • CGH40090PP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-10 14:38

    產(chǎn)品型號：CGH40090PP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益：100 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% 電壓：28 伏操作

  • CAB016M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-09 21:05

    產(chǎn)品型號：CAB016M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調(diào)頻3 配置：半橋 電阻：16μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 33.8 毫米

  • CCB021M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-09 21:00

    產(chǎn)品型號：CCB021M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調(diào)頻3 配置：六包（三相） 電阻：21μJ 最高結(jié)溫：150°C

  • CCB032M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:54

    產(chǎn)品型號：CCB032M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調(diào)頻3 配置：六包（三相） 電阻：32μJ 最高結(jié)溫：150°C

  • CAB006M12GM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:49

    產(chǎn)品型號：CAB006M12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋 電阻：6μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米