產品
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CGHV96130F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:24
產品型號：CGHV96130F 操作頻率：8.4 – 9.6 GHz POUT 典型值：145 W 功率增益：10分貝 典型 PAE：40% 內部匹配：50 歐姆 -
CGHV96050F2-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 16:11
產品型號：CGHV96050F2-AMP 操作頻率：8.4 – 9.6 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：10分貝 典型 PAE：55 % 內部匹配：50 歐姆 -
CGHV96050F2 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:09
產品型號：CGHV96050F2 操作頻率：8.4 – 9.6 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：10分貝 典型 PAE：55 % 內部匹配：50 歐姆 -
CGHV96050F1-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 15:58
產品型號：CGHV96050F1-AMP 操作頻率：7.9 – 8.4 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：>13 dB 典型線性 PAE：33 % 內部匹配：50 歐姆 -
CGHV96050F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 15:56
產品型號：CGHV96050F1 操作頻率：7.9 – 8.4 GHz POUT 典型值：80 W 功率增益：>13 dB 典型線性 PAE：33 % 內部匹配：50 歐姆 -
CGHV60170D-GP4 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:54
產品型號：CGHV60170D-GP4 典型功率附加效率：65% 典型 PSAT：170 W 操作電壓：50 伏 耐壓性：高擊穿電壓 操作頻率：高達 6 GHz 的 -
CGHV60075D5-GP4 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:47
產品型號：CGHV60075D5-GP4 4 GHz 時的典型：附加效率為 65% 6 GHz 時的典型：功率附加效率為 60% 典型 PSAT：75 W 操作電壓：50 伏 耐壓性：高擊穿電壓 -
CGHV60040D-GP4 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:39
產品型號：CGHV60040D-GP4 典型功率附加效率：65% 典型 PSAT：40 W 操作電壓：50 伏 耐壓性：高擊穿電壓 操作頻率：高達 6 GHz -
CGHV59350F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 14:29
產品型號：CGHV59350F-AMP 操作頻率：5.2 – 5.9 GHz 典型輸出功率：470 W 功率增益：10.7分貝 典型排水效率：60% 內部匹配：50 歐姆 -
CGHV59350P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 14:27
產品型號：CGHV59350P 操作頻率：5.2 – 5.9 GHz 典型輸出功率：470 W 功率增益：10.7分貝 典型排水效率：60% 內部匹配：50 歐姆