產品
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CMPA1D1E030D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:34
產品型號：CMPA1D1E030D 小信號增益：27 dB 工作電壓高：40 V 擊穿電壓：高 操作環境：高溫操作 典型 PSAT：30 W -
CMPA1D1E025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 17:26
產品型號：CMPA1D1E025F-AMP 小信號增益：24 dB 典型脈沖 PSAT：40 W 工作電壓高達： 40 V 線性功率：OQPSK 下的 20 W A/B類高增益；：高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器 -
CMPA1D1E025F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:23
產品型號：CMPA1D1E025F 小信號增益：24 dB 典型脈沖 PSAT：40 W 工作電壓：高達 40 V A/B類高增益；：高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器 -
CMPA1C1D080F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:17
產品型號：CMPA1C1D080F 90 W 典型 P： >21% 典型功率附加效率 小信號增益： 25 dB 總輸出功率：-30 dBc IM3 時總輸出功率為 20 W 工作電壓：工作電壓高達 40 V -
CMPA1C1D060D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 17:02
產品型號：CMPA1C1D060D 小信號增益：26 dB 典型 PSAT：60 W 工作電壓高達： 40 V 高擊：穿電壓 耐高溫：高溫操作 -
CMPA0060025F1-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 16:43
產品型號：CMPA0060025F1-AMP 小信號增益：18 dB 工作電壓高達： 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作 典型 PSAT：30 W -
CMPA0060025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-27 16:41
產品型號：CMPA0060025F-AMP 小信號增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作電壓高達： 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作 -
CMPA0060025F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:39
產品型號：CMPA0060025F1 小信號增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作電壓：高達 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作 -
CMPA0060025F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:37
產品型號：CMPA0060025F 小信號增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作電壓高達： 50 V 擊穿電壓：高 耐高溫：高溫操作 -
CMPA0060025D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-27 16:34
產品型號：CMPA0060025D 小信號增益：18 dB 典型 PSAT：30 W 工作電壓：高達 50 V 擊穿電壓：高