產品
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GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 15:20
產品型號：GTVA107001EC-V1 典型的脈沖連續波性能：1030兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10% 輸出功率 P3dB：890 W IDQ：100 mA -
GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 14:40
產品型號：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續波性能：960 – 1215 兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10% P3dB輸出功率：1400 W 效率：68% -
GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 14:26
產品型號：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續波性能：4100兆赫 P3dB 時的輸出功：235 W 增益：10 分貝 效率：45% VSWR：48 V -
GTRA384802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 14:18
產品型號：GTRA384802FC-V1 峰值 P3dB： 280 W 典型的脈沖連續波性能：3800兆赫 輸出功率： 400 瓦 效率：62% 增益：13 分貝 -
GTRA374902FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 10:27
產品型號：GTRA374902FC-V1 典型的脈沖連續波性能：3700兆赫 輸出功率：450 瓦 效率 ：60% 增益：11.5 分貝 10:1 VSWR：48 V -
GTRA364002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 10:16
產品型號：GTRA364002FC-V1 典型的脈沖連續波性能：3400-3600兆赫 P3dB 時的輸出功： 400 W 效率 ：60% 增益：14 分貝 10:1 VSWR：48 V -
GTRA362802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 10:06
產品型號：GTRA362802FC-V1 峰值 P3dB ：180 W 典型值 典型的脈沖連續波性能：3400-3600兆赫 P3dB 時的輸出功： 280 W 效率 ：60% 增益 ：15 分貝 -
GTRA362002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-07-11 09:54
產品型號：GTRA362002FC-V1 P3dB輸出功率： 200 W 效率：60% 增益：12.5 分貝 輸出功率：30 W (CW) -
MRF137 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管放大器 MACOM品牌2022-07-08 18:54
產品型號：MRF137 輸出功率：30 W 最小增益：13 dB 效率：60% 典型性能：7.7 dB 增益 -
MRF136 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 MACOM品牌2022-07-08 18:17
產品型號：MRF136 晶體管極性:：N-Channel 工作頻率:：400 MHz 增益:：16 dB 輸出功率:：15 W 最小工作溫度:：- 65 C