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      Vishay

      SI4559ADY-T1-GE3

      MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

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      SI4559ADY-T1-GE3 器件參數

      Function

      • 通道數量
        2
      • 連續漏極電流
        3.9 A
      • 輸入偏置電容
        665 pF
      • 漏源電阻
        100 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻
        58 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        20 nC
      • 晶體管類型
        N溝道和P溝道互補型
      • 接通延遲時間
        30 ns
      • 功率耗散
        2 W, 3.4 W
      • 關閉延遲時間
        40 ns
      • 元件數量
        2
      • 下降時間
        30 ns
      • 上升時間
        70 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.01787 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SO

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        1.55 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      SI4559ADY-T1-GE3 數據手冊

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        標題
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        來源
      • SI4559ADY-T1-GE3
        1年前
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