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      Infineon

      IRLHS6342TRPBF

      MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN

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      IRLHS6342TRPBF 器件參數

      Function

      • 閘/源截止電壓
        1.1 V
      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        19 A
      • 輸入偏置電容@25V
        1.019 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        15.5 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@4.5V,8.5A
        12 mΩ
      • 漏源導通電阻
        15.5 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵源極閾值電壓@10uA
        1.1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        11 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        4.9 ns
      • 反向傳輸電容@25V
        70 pF
      • 功率耗散
        2.1 W
      • 關閉延遲時間
        19 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        13 ns
      • 上升時間
        13 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        PQFN-6-EP(2x2)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        950 μm
      • 長度
        2.1 mm
      • 寬度
        2.1 mm

      IRLHS6342TRPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRLHS6342TRPBF 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRLHS6342TRPBF 圖片

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      • Huaqiu Chip

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