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Infineon

IRLR120NTRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

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IRLR120NTRPBF 器件參數

Function

  • 額定電流
    10 A
  • 額定電壓
    100 V
  • 閾值電壓
    2 V
  • 閘/源截止電壓
    2 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    10 A
  • 輸入偏置電容@25V
    440 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    265 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導通電阻@10V,6A
    185 mΩ
  • 漏源導通電阻
    185 mΩ
  • 柵源電壓
    16 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2 V
  • 柵極電荷@5V
    20 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    4 ns
  • 反向傳輸電容
    50 pF
  • 功率耗散
    48 W
  • 擊穿電壓
    100 V
  • 關閉延遲時間
    23 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    22 ns
  • 上升時間
    35 ns

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    TO-252-2(DPAK)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

IRLR120NTRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRLR120NTRPBF 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • IRLR120NTRPBF
    1年前
    Huaqiu Chip

IRLR120NTRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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