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      Vishay

      SQS401ENW-T1_GE3

      P-Channel 40-V (D-S) 175C Mosfet

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      SQS401ENW-T1_GE3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        2.5 V
      • 連續漏極電流
        16 A
      • 輸入偏置電容
        1.875 nF
      • 漏源電壓
        40 V
      • 柵極電荷
        21.2 nC
      • 晶體管類型
        P溝道

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        1212-8

      SQS401ENW-T1_GE3 數據手冊

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        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • sqs401enw.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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