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      ON Semiconductor

      FDS86267P

      MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

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      FDS86267P 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        2.2 A
      • 輸入偏置電容
        1.13 nF
      • 漏源電壓
        150 V
      • 漏源導通電阻
        255 mΩ
      • 柵極電荷@10V
        16 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 功率耗散
        1 W

      Physical

      • 配置
        Single
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • RoHS
        Yes

      FDS86267P 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • FDS86267P
        1年前
        Huaqiu Chip

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