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      Vishay

      SQ4961EY-T1_GE3

      MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

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      SQ4961EY-T1_GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        4.4 A
      • 輸入偏置電容@25V
        1.14 nF
      • 類型
        2個(gè)P溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@3.5A,10V
        85 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 柵極電荷@10V
        40 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        11 ns
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        36 ns
      • 下降時(shí)間
        8 ns
      • 上升時(shí)間
        13 ns
      • FET功能
        標(biāo)準(zhǔn)

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      SQ4961EY-T1_GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • SQ4961EY-T1_GE3
        1年前
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