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      Texas Instruments (TI)

      CSD23381F4

      MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR

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      CSD23381F4 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        2.3 A
      • 輸入偏置電容
        236 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        175 mΩ
      • 漏源電壓
        12 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -12 V
      • 漏源導通電阻@4.5V,500mA
        175 mΩ
      • 漏源導通電阻
        175 mΩ
      • 柵源電壓
        -8 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.2 V
      • 柵源極擊穿電壓
        -8 V
      • 柵極電荷@4.5V
        1.14 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        4.5 ns
      • 反向傳輸電容
        6.9 pF
      • 功率耗散
        500 mW
      • 擊穿電壓
        12 V
      • 關閉延遲時間
        18 ns
      • 下降時間
        7 ns
      • 上升時間
        3.9 ns

      Physical

      • 端子間距
        0.35 mm
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PicoStar-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        350 μm
      • 長度
        1 mm
      • 寬度
        600 μm

      CSD23381F4 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      CSD23381F4 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • CSD23381F4_TEXAS INSTRUMENTS.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      CSD23381F4 圖片

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