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      Infineon

      IRF6645TRPBF

      MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

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      IRF6645TRPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        5.7 A
      • 額定電壓
        100 V
      • 連續(xù)漏極電流
        5.7 A
      • 輸入偏置電容@25V
        890 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@5.7A,10V
        35 mΩ
      • 漏源導通電阻
        35 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@50uA
        4.9 V
      • 柵極電荷@10V
        20 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        9.2 ns
      • 功率耗散
        2.2 W, 42 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        18 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        5.1 ns
      • 上升時間
        5 ns

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        7
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        DirectFET

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      IRF6645TRPBF 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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