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      Infineon

      IRFH5302TRPBF

      MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN

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      IRFH5302TRPBF 器件參數

      Function

      • 閘/源截止電壓
        1.8 V
      • 連續漏極電流
        32 A
      • 輸入偏置電容
        4.4 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        3.5 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@10V,50A
        2.1 mΩ
      • 漏源導通電阻
        2.1 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@100uA
        2.35 V
      • 柵極電荷
        76 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        18 ns
      • 功率耗散
        3.6 W
      • 關閉延遲時間
        22 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        18 ns
      • 上升時間
        51 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        PQFN-8(5x6)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        850 μm
      • 長度
        6 mm
      • 寬度
        5 mm

      IRFH5302TRPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRFH5302TRPBF 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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