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      3天內不再提示

      Infineon

      IRFH8325TRPBF

      MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN

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      IRFH8325TRPBF 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        21 A
      • 輸入偏置電容
        2.487 nF
      • 漏源電阻
        7.2 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻
        5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        32 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        12 ns
      • 功率耗散
        3.6 W
      • 關閉延遲時間
        14 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        7.1 ns
      • 上升時間
        16 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PQFN-8(5x6)

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • RoHS
        yes

      IRFH8325TRPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRFH8325TRPBF 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRFH8325TRPBF 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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