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      Texas Instruments (TI)

      TLE2022IDR

      Dual Precision Low-Power Single Supply Operational Amplifier, 4 to 40 V, -40 to 85 degC, 8-pin SOIC (D8), Green (RoHS & no Sb/Br)

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      TLE2022IDR 器件參數

      Function

      • 通道數量
        2
      • 輸入偏置電流
        70 nA
      • 輸入偏置電壓
        600 μV
      • 電源電壓
        4 V, 40 V
      • 電壓增益
        123.52 dB
      • 每個通道的輸出電流
        30 mA
      • 放大器數量
        2
      • 帶寬
        1.7 MHz
      • 增益帶寬乘積
        1.7 MHz
      • 回路數量
        2
      • 壓擺率
        0.65 V/μs
      • 功率耗散
        725 mW
      • 共模抑制比
        85 dB
      • 元件數量
        2
      • 供電電流
        550 μA, 700 μA
      • I/O電壓
        600 μV

      Physical

      • 觸點鍍層
        Gold
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        85 °C
      • 工作溫度
        85 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      TLE2022IDR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TLE2022IDR 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • SLOS191D
        1年前
        Altium Library
      • pYYBAGOU2SWAdt5MACT_l1G3tkE505.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      TLE2022IDR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip